Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM150NB04CR RLG
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM150NB04CR RLG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventario:
5000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12895249
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TSM150NB04CR RLG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 41A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1092 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PDFN (5.2x5.75)
Pacchetto / Custodia
8-PowerLDFN
Numero di prodotto di base
TSM150
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
TSM150NB04CRRLGCT
TSM150NB04CRRLGTR
TSM150NB04CRRLGDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DMN3008SFG-13
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
DMTH10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM220NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
